芯片温度循环拉力试验过程

1、试验所需设备：冷热冲击试验箱(两箱式);X射线焊点检测仪;拉力试验机。

2、试验判定标准

温度循环GJB 548B方法1010.1，条件C(-65℃~150℃)的要求进行;X光检测按GJB548B方法2012.1的要求进行;键合拉力试验按GJB 548B方法2011.1条件D的要求进行。

3、芯片样品选择

选择一种CQFP16陶瓷封装电路，该电路采用芯片背金烧结工艺，内引线采用为硅铝丝超声楔形焊。试验使用样品100只，分为10组，每组10电路。温度循环共进行1000次，每次100次抽取1组进行芯片剪切力、键合拉力、X光检查。

4、样品的预先处理

在进行该试验前，该电路按照产品详细规范的要求进行了筛选，对早期失效的电路进行了淘汰。在筛选合格电路中选取100只芯片烧结空洞率小于15%的产品作为本次试验的样品。

5、试验结果

该电路共进行了温度循环试验1000次，每100次温度循环试验后对电路进行键合拉力测试，测试电路为试验电路中随机抽取的10只电路，对10电路的全部引线进行试验，对比试验数据，得到温度循环试验过程中引线拉力强度的变化规律。

温度循环核试验对内引线的作用原理同样是基于材料的热胀冷缩特性而产生的机械应力作用。虽然在1000次试验过程中的引线拉力测试值均满足GJB 548B合格判别要求，但引线拉力测试值在500次温度循环中出现了快速的退化，而后直到1000次温度循环试验中的测试值处于一个相对比较温度的范围，引线拉力测试值没有出现持续的退化。